UltimateGaN ist ein europäisches Forschungsprojekt, das durch das Programm Ecsel JU gefördert wird. Ziel des Projekts ist die Erforschung von energiesparenden Bauteilen auf Basis des neuen Halbleitermaterials Galium-Nitrid (GaN). Durch die Ergebnisse soll es möglich werden, solche Leistungshalbleiter in vielen Anwendungsbereichen einzusetzen, wobei die Kosten konkurrenzfähig zu anderen Technologien sein sollen.

Mögliche interessante Anwendungsbereiche für solce Chips sind : Erneuerbare Energien, E-Mobilität und schnelle Datenübertragung.

Das Interesse des Instituts für Hochfrequenztechnik liegen in der Eignung und Verwendung von GaN-Halbleiter als Hochfrequenz-Leistungsverstärker. Daraus ergeben sich im Rahmen des Projekts 2 Aufgaben für das Institut :

• Untersuchung neuer Package-Technologien und er Integration in PCBs : In diesem Zusammenhang sind Modellierungen, Simulationen, Messungen und Charakterisierungen durchzuführen.
• Aufbau eines Demonstrators für einen HF-Leistungsverstärker mit GaN-Chips aus dem Projekt für 5G und Radaranwendungen (unter 5 GHz).